[00061548]一种单管单电容存储单元装置及其制备方法
联系人： 湘潭大学
所在地： 湖南湘潭市
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摘要：本发明公开了一种单管单电容存储单元装置，包括晶体管和电容结构，所述电容结构的上电极与所述晶体管的漏极通过引线连接。本发明单管单电容存储单元装置采用β‑Ga2O3作为沟道材料，一种热稳定性和化学稳定性都良好的宽禁带半导体材料，且预期具有非常好的抗辐射性能，可以加固沟道部位的抗辐射能力。同时，本发明还公开了一种所述单管单电容存储单元装置的制备方法及包含所述单管单电容存储单元装置的存储器。
