[00061551]一种用X射线进行单粒子软错误的试验方法
联系人： 湘潭大学
所在地： 湖南湘潭市
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技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种用X射线进行单粒子软错误的试验方法，包括如下步骤对SRAM试验器件加载低于正常电压的偏置电压；对SRAM试验器件进行X射线辐射，记录试验数据；以及根据试验数据计算偏置电压下对应的单粒子翻转截面。本发明通过使用X射线进行单粒子软错误的试验方法证实了纳米级器件在X射线辐照过程中，所产生的次级电子，可以导致器件发生翻转，相比于以前的研究，对纳米级器件的单粒子效应的研究，增加了一种地面模拟源，相比于其它辐射源，具有剂量率控制准确、辐照易于屏蔽、无辐射残留，机时容易获得的优点。
