交易价格: 面议
所属行业: 纳米及超细材料
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201710035410.3
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 四川大学
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所在地: 四川成都市
本发明提供一种硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的制备方法,具体实施方案如下(1)水溶性钼源前驱体的制备。将一定量的MoO2(ACAC)2溶解在SHCH2COOH水溶液中,并加热至100℃恒温1小时,逐滴加入NaOH溶液调节pH至11.0;(2)表面修饰片层二硫化钼材料的制备。将一定量的Na2S与上述溶液混合,转移至高温反应釜中反应;(3)纯化。将反应得到的溶液透析一段时间后,得到硫醇修饰的二硫化钼片层纳米片层材料。本发明为片层MoS2材料的表面修饰提供了一种简易可行、操作便捷的方法。
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