交易价格: 面议
所属行业: 无机非金属材料
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN200810023437.1
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 南京大学
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所在地: 江苏南京市
本发明通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法,以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底,通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒,该方法简单实用,无需催化剂,在常压下即可进行,且生长的纳米线为六方晶系单晶结构,纳米棒为立方晶系单晶结构,质量高,本发明方法是一种得到立方晶系一维InN纳米结构的有效途径。
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