一种分段质量块应力集中结构微压传感器芯片及制备方法,传感器芯片包括基底上的薄膜,四条浅槽沿着薄膜上部边缘分布,四个压敏电阻条布置在相邻两条浅槽端部之间,金属引线将四个压敏电阻条连接成半开环惠斯通电桥,四个凸块沿薄膜下部的边缘分布,且与基底相连;四个质量块与凸块间隔有距离,凸块连接在薄膜上,质量块与凸块以及两者之间的间隙构成了分段质量块应力集中结构;制备方法是对清洗过的SOI硅片制作压敏电阻条,再获得P型重掺杂硅作为欧姆接触区,然后制作浅槽,制作传感器的背腔结构层,最后将基底与防过载玻璃键合,本发明传感器芯片具备高可靠性、高精度、高线性度、高动态特性等特点,且便于加工、成本低。