交易价格: 面议
所属行业: 检测仪器
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201710471198.5
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 西安交通大学
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所在地: 陕西西安市
一种基于非晶碳膜的超高线性度温度传感器芯片,包括镀有氮化硅层的硅片基底,硅片基底表面采用ECR溅射装置沉积超高线性度非晶碳膜,超高线性度非晶碳膜表面溅射第一金电极,在硅片基底表面制作二氧化硅保护层,二氧化硅层刻蚀使第一金电极裸露,将硅片基底固定在PCB板上,使用金丝键合连接第一金电极和第二金电极,最终通过引线孔接入电路;本发明制备方法简单,制备过程中耗费能量低,经济效益好;可与MEMS工艺融合,设计MEMS多功能集成传感器;机械性能优越,具有低摩擦系数、耐腐蚀、耐磨等优良特性。
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