[00063152]一种发光半导体器件
技术详细介绍
本发明公开了一种发光半导体器件，包括N型半导体和依次设置于N型半导体一侧上的有源区、P型半导体和P电极，P型半导体具有粗糙表面，且在P型半导体的粗糙表面上采用PVD镀有光提取镀层，N电极设置于N型半导体另一侧上；当N电极设置于N型半导体上且与P电极同侧时，衬底设置于N型半导体另一侧上。本发明通过在P型半导体上制作粗糙表面，以及采用PVD在该P型半导体的粗糙表面镀有光提取镀层，使得发光半导体器件的出光效率至少提高了5%。
本发明公开了一种发光半导体器件，包括N型半导体和依次设置于N型半导体一侧上的有源区、P型半导体和P电极，P型半导体具有粗糙表面，且在P型半导体的粗糙表面上采用PVD镀有光提取镀层，N电极设置于N型半导体另一侧上；当N电极设置于N型半导体上且与P电极同侧时，衬底设置于N型半导体另一侧上。本发明通过在P型半导体上制作粗糙表面，以及采用PVD在该P型半导体的粗糙表面镀有光提取镀层，使得发光半导体器件的出光效率至少提高了5%。
