X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到天长市科技大市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果 专家 院校 需求
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00063506]一种柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二级管及其制作方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610675450.X

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 西安交通大学

进入空间

所在地: 陕西西安市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

本发明公开一种柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二级管及其制作方法,属于半导体技术领域。金字塔结构是在激光打孔得到的蓝宝石衬底上直接生长的,不仅操作简便而且形成3D的孔结构可用于减小位错和应力,并且相互分立的金字塔阵列为实现无机的柔性LED提供了可能性;通过沉积透明导电薄膜保证p面金字塔电流分布的均匀性;用绝缘材料填充金字塔之间的空隙,以实现金字塔的平整化;采用石墨烯等新型材料实现金字塔之间的电学相连,同时将石墨烯转移和衬底转移步骤合二为一,在简化工艺的同时保证了石墨烯的完整性;巧妙利用了激光打孔伸生长的金字塔结构背面的凸起,在无需掩膜的情况下可实现局域性光刻,以及量子阱的侧壁保护以及u‑GaN的刻蚀。

推荐服务:

Copyright  ©  2019    天长市科技大市场    版权所有

地址:滁州高新区经三路

皖ICP备2023004467