[00063514]基于高阻ZnO薄膜的光电导型X射线探测器及其制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610280939.7

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

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所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种基于高阻ZnO薄膜的光电导型X射线探测器及其制备方法，包括壳体、两条引线、以及设于壳体内且自上到下依次设置的电极层、ZnO膜层及衬底基片，所述电极层由若干等间距分布的Al膜组成，其中一个引线与一部分Al膜相连接，另一个引线与另一部分Al膜相连接，与且两个引线连接的Al膜交错分布。本发明具有低噪声、高灵敏度、快速响应特性，制备成本较低。

[00063514]基于高阻ZnO薄膜的光电导型X射线探测器及其制备方法

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