[00063536]纳米双相复合结构Zr－Si－N扩散阻挡层材料及其制备工艺

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200310118999.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

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所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种纳米双相复合结构Zr－Si－N扩散阻挡层材料及其制备工艺。本发明的材料是由Zr片以及在Zr片上放置若干片尺寸为10mm×10mm×0.7mm的Si片组成的复合靶，在复合靶上沉积有厚度约为90－100nm的Zr－Si－N薄膜。本发明的制备工艺采用射频发应磁控溅射，靶材为Zr片和Si片组成的复合靶，在N₂/Ar混合气体中沉积Zr－Si－N薄膜。该薄膜为ZrN和Si₄N₃组成的双相复合结构，晶界等缺陷密度显著降低,减少了Cu扩散的快速通道，在850℃仍可有效阻挡Cu向Si基体的扩散，是一种性能优良的扩散阻挡层。

[00063536]纳米双相复合结构Zr－Si－N扩散阻挡层材料及其制备工艺

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