[00063788]一种高纯多晶硅溅射靶材及其制备方法和应用
技术详细介绍
本发明涉及溅射镀膜领域，具体涉及一种高纯多晶硅溅射靶材及其制备方法和应用。包括以下步骤：(1)装入硅料；(2)熔化阶段；(3)长晶过程；(4)减小热应力；(6)降温阶段。本发明选用多晶硅铸锭/提纯过程中产生的尾料作为原料，通过电子束熔炼耦合定向凝固将纯度较低的多晶硅原料提纯获得高纯多晶硅料，通过向硅中添加铝硼合金控制硅靶材的电阻率，通过籽晶诱导定向凝固工艺保证晶粒取向和均匀性，通过凝固工艺调整抑制晶体缺陷的形成。该方法制得的产品出成率能够达到80％左右，且具有成本低、纯度高、结晶取向一致、晶体缺陷少、电阻率可控的优点。
