交易价格: 面议
所属行业: 电池充电器
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN01129013.7
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 四川大学
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所在地: 四川成都市
透明导电膜前电极晶体硅太阳电池属于一种的新结构的光伏电池。其要点是用透明导电薄膜作前电极,来代替栅状前电极及减反射层。本发明的透明导电膜前电极是迭层结构,即先在已形成n-p结的硅基底上,制作厚度小于100nm的高电阻透明导电膜,然后按电导和减反射的要求制作厚度大于150nm的高电导透明导电膜。可使转换效率提高25-35%。制作成本比现有技术有所降低。
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