交易价格: 面议
所属行业: 纳米及超细材料
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510791648.X
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 四川大学
进入空间
所在地: 四川成都市
本发明属于磁敏传感器制造领域。具体本发明涉及磁性薄膜结构及其制造、使用方法和磁敏传感单元、阵列。本发明提供的纳米磁性薄膜结构及三维磁敏传感单元或三维磁敏传感器,采用单一结构一次沉积成膜,仅一次微纳米图形加工就可获得集成三维磁敏传感单元和磁敏传感器,不仅具有加工简单、成本低的优点还大大提高了三维磁性传感器的集成度、器件稳定性和重复性,显著优于现有三维磁敏传感器的技术。
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