本发明提供一种半导体发光器件结温的测量方法,首先确定蓝移和红移的交汇点,得到最小峰值波长λ0及λ0对应的结温T0,然后根据蓝移区结温函数得到其对应的结温Tblue,根据红移区结温函数得到其对应的结温Tred。本发明考虑了蓝移效应的影响,使得对结温的实际测量更为简便和精确;结温函数中包含了器件发光区组分含量x,使其能够应用于具有不同波长的器件的测量,具有更强的实用性;采用对多个具有不同波长或多波长器件的测量来确定相关结温函数的系数,既可减少测量的工作量,又可以提高精度,减小误差。该方法能够达到同时具有精确性高,成本低和实用性强的效果,这对于提高半导体发光器件的性能和寿命具有重要意义。