交易价格: 面议
所属行业: 其他电气自动化
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201710303195.0
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 吉林师范大学
所在地: 吉林四平市
摘要:本发明提供了一种无掺杂钙钛矿太阳电池的制备方法,属于太阳电池技术领域,该方法在导电衬底S上依次制备电子传输层E、钙钛矿有源层材料P、空穴传输层材料H、透明导电薄膜T以及金属电极M。利用无掺杂空穴(电子)传输层与钙钛矿有源层之间的功函数之差形成界面反型层,产生空穴(电子)选择收集的效果。上述钙钛矿太阳电池不涉及掺杂工艺,且H与T皆具有高透过、低寄生光吸收的特性,可有效降低器件缺陷态密度、提升器件稳定性与光谱相应,且制备方法简单,易于实施。
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