交易价格: 面议
所属行业: 其他电气自动化
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201110418886.8
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 中国科学院深圳先进技术研究院
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所在地: 广东深圳市
本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置,包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层及导电窗口层,其中,背电极层为石墨烯薄膜。通过采用电学性能优异的石墨烯薄膜取代传统的Mo背电极,不仅能够节约Mo原料,而且由于电池的衬底和背电极透光,使得电池上下面都有光的吸收,进入电池中光通量增加,从而可以产生更多的电子空穴对,使得铜铟镓硒薄膜电池装置能够在相对较薄的光吸收层下仍保持很高的光电转换效率。此外,本发明还涉及一种铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置的制备方法。
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