交易价格: 面议
所属行业: 其他电气自动化
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201110422209.3
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 中国科学院深圳先进技术研究院
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所在地: 广东深圳市
本发明涉及一种铜铟镓硒太阳能电池装置,包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层及导电窗口层,其中,导电窗口层为n型的石墨烯薄膜。石墨烯薄膜作为CIGS太阳能电池装置的导电窗口层,除了比传统导电窗口层ZnO:Al薄膜具有更低方块电阻外,还可以避免ZnO:Al薄膜导致的近红外光波段的损耗,提高电池对光的利用率,进而优化电池性能。此外,本发明还涉及一种铜铟镓硒太阳能电池装置的制备方法。
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