交易价格: 面议
所属行业: 其他电气自动化
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201110422208.9
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 中国科学院深圳先进技术研究院
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所在地: 广东深圳市
本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜光伏电池装置包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层、导电窗口层及栅电极,其中,所述栅电极为p型或n型的石墨烯薄膜。近乎透明的石墨烯薄膜作为CIGS薄膜光伏电池装置的栅电极,最显著的优势是透光,单层石墨烯只吸收2.3%的光,相较之传统使用的Ni/Al栅极完全不透光,该光伏电池装置的有效受光面积增加,短路电流升高,电池效率也升高。
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