交易价格： 面议
所属行业： 其他新材料技术
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201611176135.9
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 四川大学
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所在地： 四川成都市
本发明公开了一种氧化镱掺杂低温烧结高压电性PZT基陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷的通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.3Ti0.7)O3+u
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