[00065660]一种大面积纳米缝隙阵列及其制作方法
技术详细介绍
本发明公开了一种用于大面积纳米缝隙阵列的制作方法，涉及微纳加工领域。将角度沉积的阴影效应与基底旋转结合起来，通过调节基底的旋转速度、纳米掩模结构、沉积角度及沉积速度参数相互配合，制作新型且大面积的纳米缝隙阵列结构。并且利用本发明所公开的技术，以光栅为沉积掩模基底，已经制作出大面积周期性纳米缝隙阵列结构。
本发明公开了一种用于大面积纳米缝隙阵列的制作方法，涉及微纳加工领域。将角度沉积的阴影效应与基底旋转结合起来，通过调节基底的旋转速度、纳米掩模结构、沉积角度及沉积速度参数相互配合，制作新型且大面积的纳米缝隙阵列结构。并且利用本发明所公开的技术，以光栅为沉积掩模基底，已经制作出大面积周期性纳米缝隙阵列结构。
