[00065767]柔性场效应晶体管
技术详细介绍
本实用新型公开了一种柔性场效应晶体管，涉及半导体技术领域。所述柔性场效应晶体管包括：间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极，所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接，覆盖于所述半导体导电沟道上的介电层，以及，叠设在所述介电层上的栅极。其中，所述半导体导电沟道采用碳纳米管层或氧化还原石墨烯层。本实用新型通过采用微机电系统加工技术、印刷电子技术与纳米碳材料等相结合，在柔性衬底上制备具有性能良好的场效应晶体管，其结构简单、工艺灵活、成本较低、适于大批量生产。
