[00065768]柔性场效应晶体管及其制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种柔性场效应晶体管及其制备方法。所述柔性场效应晶体管包括间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极，所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接；覆盖于所述半导体导电沟道上的介质层；以及，叠设在所述介质层上的栅极。其中，所述半导体导电沟道采用碳纳米管层或氧化还原石墨烯层。本发明通过采用微机电系统加工技术、印刷电子技术与纳米碳材料等相结合，在柔性衬底上制备具有性能良好的场效应晶体管，其结构简单、工艺灵活、成本较低、适于大批量生产。
