[00065785]硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法
技术详细介绍
摘要：本发明为硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法，解决在SF6气氛中激光掺硫形成黑硅，半导体非晶硅薄膜层硫元素的掺入量低且不稳定，在厚度到微米量级的非晶层中掺入5×1018-1020/cm3生长周期长，效率低，近红外光波段光电转换效应非常微弱的问题。在商用太阳能电池衬底芯片表面上激光外延生长含S/Si半导体合金层0.5-3.5µm厚度。在N2气氛中利用脉冲宽度为1-800ns脉冲激光，控制能量密度使太阳能电池表面上含硫的Si膜材料温度达到熔点。大约宽1mm×30mm高的带状ns激光，以50-500µm/s速度对其进行扫描，使其表面形成高浓度硫掺杂的具有多晶结构的n+(s)型硫硅半导体合金层，掺硫浓度为5×1018-1020/cm3。n+(s)合金层与衬底电池的掺P的n(p)型层构成n+(s)/n(p)异质结。
