[00066049]一种半导体图形衬底的制造及外延的方法
技术详细介绍
本发明属于半导体领域，公开了一种半导体图形衬底的制造及外延的方法，通过将蓝宝石等衬底生长一层氧化锌ZnO；然后制作成蒙古包一样的ZnO图形，露出蓝宝石；然后用物理气相沉积PVD等物理方法生长AlN保护层；通过高温氢气或氨气把保护层下的ZnO反应掉或部分反应掉，留下来的AlN为中空的蒙古包。本发明大大缓冲了AlGaInN与蓝宝石之间的热应力，这样就减少了蓝宝石与AlGaInN之间的膨胀系数差异引起的应力，可以大大减少AlGaInN的位错从而提高晶体质量，可以代替GaN单晶衬底，达到降低芯片制造成本,有利于AlGaInN基LED、电子及微波器件的民用。
