[00066223]一种凸点下金属化层构件及制备方法
技术详细介绍
本发明提供一种凸点下金属化层构件及制备方法，所述构件包括位于半导体衬底金属焊盘上方的第一层金属、位于所述第一层金属上方的第二层金属、位于所述第二层金属上方的第三层金属，其中所述第二层金属与所述第三层金属经过金属热处理工艺后，形成第二层金属与第三层金属的合金层；位于所述合金层上方的第四层金属。还公开了凸点下金属化层的制备方法。本发明公开的凸点下金属化层(UBM)构件简单、制备方法便捷，且能明显抑制界面处Cu‑Sn‑Zn金属间化合物的生长，并能显著提高UBM层焊料连接的抗冲击性能和电子器件可靠性，最优情况下能延长电子元器件一倍以上的使用寿命。
