[00066989]一种带GaN子阱的RTD发射区新设计
技术详细介绍
本发明公开了一种带GaN子阱的共振隧穿二极管（RTD）的发射区结构设计方案，所设计的RTD结构见附图，自发射极到集电极依次为GaN发射区，Al组分缓变增加的AlGaN发射区、AlGaN隔离区、GaN子阱、AlGaN/GaN/AlGaN双势垒单势阱区、GaN隔离区、GaN集电区。本发明所设计的结构显著提高了器件的峰值电流、输出功率和频率特性，实现了GaN做发射区的欧姆接触，避免了工艺上AlGaN掺杂困难，不易做电极接触的问题，同时保证了发射区能带的连续性。室温下的仿真结果是IP=43mA/um2，Iv=7.67mA/um2，PVCR=5.61，比普通结构的GaN基RTD提高了约一个数量级。
