摘要:本发明涉及一种薄膜表面氧化铝量子点的电子辐照制备方法。该方法包括基片的清洗;氧化铝非晶薄膜的制备;商用电子静电加速器对制备的非晶薄膜进行电子辐照;以及对辐照非晶薄膜进行退火处理等工艺步骤。通过上述步骤,在氧化铝非晶薄膜表面制备出氧化铝量子点,并通过控制电子辐照与退火处理参数可对量子点分布密度与几何结构特征参数进行调控。与现有技术对比,本发明是在氧化铝薄膜表面原位生长氧化铝量子点、不引入杂质、工艺简易;所得氧化铝薄膜为非晶态,因此本发明制备的氧化铝量子点圆形度较好、尺寸均匀、形态分布的单一性好。且采用商用电子静电加速器进行电子辐照,可实现大面积规模化制备及商业化应用。