[00069873]一种氮化碳场发射阴极的制备方法
联系人： 西北大学
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技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种CNx场发射阴极的制作方法，该方法选择钛片作为基底，利用悬浊液静置沉降法在基底上形成含有CNx的胶膜，通过HFCVD热处理在基底与CNx颗粒之间键合生成TiC过渡层。其制作方法包括：先对基底钛片进行抛光处理，然后利用悬浊液静置沉降法在其上形成含有CNx颗粒的有机胶膜，最后采用真空热处理使有机胶膜分解挥发，同时形成CNx颗粒与基底的键合。本发明制备的CNx平面场发射阴极，由于在基底与CNx颗粒之间键合生成过渡层，降低了界面处的电子势垒，实现高密度的电子注入，同时，也加强了CNx与基底的黏附性。该法制备CNx场发射阴极，工艺简单、成本低廉、易于推广。
