[00071803]MOS器件非均匀界面退化电荷的数值模拟方法及系统
技术详细介绍
摘要：本发明适用于MOS器件技术领域，提供了一种MOS器件非均匀界面退化电荷的数值模拟方法及系统，对软件底层进行改动，增加了计算非均匀界面电荷数Nit(x,t)的功能模型，从而能够实现非均匀界面电荷对器件性能的影响的数值模拟。所述的数值模拟方法还添加界面电荷退化模型接口，从而能够对各种效应引起非均匀界面电荷进行数值模拟；所述的数值模拟方法还添加了一个器件参数提取接口，可以提取器件参数包括阈值电压、输出特性、跨导、电子和空穴浓度分布、电势分布、电场分布等。针对NBTI的退化模型，可以揭示在HCI应力下纯偏置NBTI效应独特的变化规律，深入理解器件退化和寿命的关系，指导工艺设计，进一步推动集成电路可靠性研究的发展。
