[00071952]薄膜晶体管输出特性模型修正方法
联系人： 苏州大学
所在地： 江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明具体涉及一种薄膜晶体管输出特性模型修正方法，为了提供一种同一拟合常数适合于多个不同栅极电压Vgs条件下的输出特性而设计。本发明薄膜晶体管输出特性模型修正方法包括确定适用于薄膜晶体管一组不同栅极电压Vgs条件下输出特性的同一拟合常数α；采用如下修正公式确定修正后的漏极电流，其中，Vdeff为有效漏极电压，Vdeff＝VD‑Vdsat，VD为漏极电压，Vdsat为过饱和电压；Id为线性区的未加修正的漏极电流。本发明薄膜晶体管电流模型对器件特性的预测更加精确。
