[00072738]一种制备氧化锌掺铁室温磁性半导体的方法
技术详细介绍
本发明公开了一种制备氧化锌掺铁室温磁性半导体的方法，采用纯度为99％的分析纯ZnO粉末和纯度为99％的分析纯Fe3O4粉末为原料进行混合研磨，然后将材料压制成片状或者不压片，并采用特有的烧结工艺，在高温电阻炉里进行大气氛围下的固相反应，完成室温磁性半导体的制备。本发明的制备方法具有工艺简化，无需用球磨机研磨、选用的制备工具和原材料低廉、产量大、填充性好、人工费用低，产品具有良好室温铁磁性和导电性能。
本发明公开了一种制备氧化锌掺铁室温磁性半导体的方法，采用纯度为99％的分析纯ZnO粉末和纯度为99％的分析纯Fe3O4粉末为原料进行混合研磨，然后将材料压制成片状或者不压片，并采用特有的烧结工艺，在高温电阻炉里进行大气氛围下的固相反应，完成室温磁性半导体的制备。本发明的制备方法具有工艺简化，无需用球磨机研磨、选用的制备工具和原材料低廉、产量大、填充性好、人工费用低，产品具有良好室温铁磁性和导电性能。
