[00073632]一种双环硅通孔结构及其制造方法
联系人： 西安理工大学
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技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种双环硅通孔结构及其制造方法。一种双环硅通孔结构，从外向内依次为半导体衬体、第一介质层、第一金属环、第二介质层、第二金属环和介质芯层。一种双环硅通孔的制造方法，包括(1)在半导体衬底上刻蚀通孔；(2)在通孔的内表面制备第一介质层；(3)在第一介质层的表面通制备第一金属环；(4)在第一金属环的表面制备第二介质层；(5)在第二介质层的表面制备第二金属环；(6)在第二金属环的表面制备介质芯层，直至完全填满为止；(7)在半导体衬底和硅通孔上表面进行化学机械抛光。采用外层接地第一金属环实现屏蔽噪声信号的作用，达到较高高频信号完整性；采用内侧第二金属环降低了热应力，提高了热机械性能。
