[00075116]直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法
联系人： 西安理工大学
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技术详细介绍
摘要：本发明公开的直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法，对激光光束照射到熔体液面后反射的光斑图像进行采集，对采集到的图像通过Sobel算子提取图像边缘，再对边缘图像进行Hough变换和聚类得到激光光斑的中心位置图像，将该中心点与光电码盘的计数位置进行比较，从而得到光斑中心位置变化时相对应的液面高度变化值，进而可以根据光斑中心的变化得到液面位置的变化量，对多次计算的结果取平均可以得到比较准确的液面位置变化量。该检测方法简单、测量精度高。
