本发明提供一种多梁式双质量块加速度传感器芯片及其制备方法,传感器芯片采用SOI硅片制造,包括支撑梁、敏感压阻梁以及引线、焊盘等。支撑梁为双端固支梁,其两端固定于芯片外框固支端,支撑梁上对称分布两个质量块,两质量块之间保持一定距离;芯片中四个敏感压阻梁对称分布在支撑梁两侧,且敏感压阻梁一端与质量块的边角连接,另一端与芯片外框固支端连接;四个敏感压阻梁上的压敏电阻通过金属引线相连并构成半开环的惠斯通全桥电路,四个压敏电阻同时通过金属引线和六个金属焊盘连接,该传感器芯片可实现100g以下加速度的测量,固有频率达15kHz以上,满足低g值动态加速度测量的要求。