[00075715]一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法
技术详细介绍
本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法，包括如下步骤：在原子层沉积腔室中，通入气相前驱体，形成一种具有未成键电子的物质，与衬底表面原子形成共价键，实现化学吸附；通入与衬底表面发生取代反应的气体，形成所需的sp3杂化的氮碳单键结构。本发明应用于原子层沉积技术制备氮化碳薄膜，使用该方法形成的结构能够利用每一层间的相互作用，实现结构上的一致性、单晶性。
本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法，包括如下步骤：在原子层沉积腔室中，通入气相前驱体，形成一种具有未成键电子的物质，与衬底表面原子形成共价键，实现化学吸附；通入与衬底表面发生取代反应的气体，形成所需的sp3杂化的氮碳单键结构。本发明应用于原子层沉积技术制备氮化碳薄膜，使用该方法形成的结构能够利用每一层间的相互作用，实现结构上的一致性、单晶性。
