[00075721]一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法
技术详细介绍
本发明涉及石墨烯的制备技术，具体涉及一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：将碳化硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，所述碳源气体作为第一反应前驱体在碳化硅衬底表面进行化学吸附；所述的碳源气体与通入的第二反应前驱体发生卤代反应，并产生相应的副产物，直到碳化硅衬底表面的碳源气体完全消耗；所述卤代反应停止后，相应的副产物经过光照在碳化硅衬底表面形成单原子层石墨烯薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备石墨烯薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的石墨烯薄膜结构完整，厚度均一，并为单原子层厚度。
