交易价格: 面议
所属行业: 电力
类型: 实用新型专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201120547261.7
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 科小易
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所在地: 浙江嘉兴市
本实用新型公开了一种硅基双结叠层太阳电池,涉及叠层电池结构的设计,属于硅基太阳电池技术领域。该太阳电池包括一个顶电池和一个底电池,两个子电池之间经隧道结连接构成串联结构。顶电池采用宽禁带的非晶硅材料构成PIN结,底电池采用窄禁带的多晶硅材料构成PIN结。非晶硅本征层厚度与多晶硅本征层厚度之比为1∶3。各子电池及其间的连接结构直接在玻璃衬底上沉积而成。该结构可以提高太阳电池的光电转换效率、减轻发生光致衰退效应、减少吸收层厚度、减少硅材料用量、降低太阳电池成本。
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