[00075755]一种近室温自旋转换晶体材料及其合成方法
技术详细介绍
本发明公开了一种近室温自旋转换晶体材料及其合成方法，该材料的它的基础单元为[Fe(bpt)2{AuCN}2]，其中，配体为bpt‑，桥连配体为[Au(CN)2]‑，所述bpt‑为3,5‑二(2‑吡啶基)‑1,2,4‑三氮唑；所述晶体材料由一维梯子型结构组装而成。本发明方法制备的近室温自旋转换晶体材料转变温度接近室温，回滞宽度达到3K；本发明合成方法简单，成本低廉，晶化温度低，易于控制，且去除杂质的方法简单易行。
本发明公开了一种近室温自旋转换晶体材料及其合成方法，该材料的它的基础单元为[Fe(bpt)2{AuCN}2]，其中，配体为bpt‑，桥连配体为[Au(CN)2]‑，所述bpt‑为3,5‑二(2‑吡啶基)‑1,2,4‑三氮唑；所述晶体材料由一维梯子型结构组装而成。本发明方法制备的近室温自旋转换晶体材料转变温度接近室温，回滞宽度达到3K；本发明合成方法简单，成本低廉，晶化温度低，易于控制，且去除杂质的方法简单易行。
