本发明公开了一种高速单晶生长装置及方法,主要涉及一种晶体冷却方式和输送反应物进行化学反应的反应筒。该反应筒采用耐高温材料,由进气筒和排气筒组成。进气筒开设有通道,通入参与反应的反应物和保护气体。反应物经由进气筒后,喷射到生长中的高温晶体表面,发生化学反应吸热,快速移除晶体表面的热量。排气筒用于将反应不完全的反应物以及反应产物气体排出炉体。进气筒和排气筒连为一个整体,固定在炉壁上。本发明首次将化学吸热反应应用于晶体生长中的强化冷却,能够快速移除晶体表面的热量,显著提升晶体内部的轴向温度梯度,从而提高晶体的生长速度。