本实用新型公开了一种高速单晶生长装置,其特点为在坩埚上方设有导流筒,导流筒在三相点附近的形状经特殊设计以控制凝固界面上方的热流方向;在导流筒内设置水冷套以强化晶体侧的传热。本实用新型通过设计导流筒结构,能够使水冷套长度延伸到固液界面附近,相比于传统水冷套设计能大幅强化晶体侧的散热能力,进而提高晶体提拉速度;同时克服因水冷套过于靠近固液界面导致固液界面凹度增大的技术难点,在整个拉晶过程中均能获得较为平坦的凝固界面形状,且晶体内热应力值也控制在较低水平。因此采用本实用新型有利于快速提拉出高品质的单晶。