本实用新型涉及一种可以连续生长的提拉法晶体生长装置,包括提拉装置,晶体生长装置,整个晶体生长装置位于一个上部开口的炉腔中,炉腔外有炉壁(15)保护。生长坩埚(12)所在的生长炉和化料坩埚(8)所在的化料炉的温度是独立控制的。连通器(11)外壁有加热装置和保温层,其加热装置独立控温。通道(13)有加热装置和保温层,其加热装置独立控温。晶体从生长炉(12)转移到退火炉(14)的通道(13)有合适的温度场,以保证晶体在转移过程中不会受到热冲击,通道(13)的两端有耐高温的阀门,在没有转移晶体的时候门要关闭,以保证通道不会对退火炉(14)和生长炉(12)的温度场产生明显影响。退火炉(14)独立控温,以保证晶体在退火炉(14)中按照合适的退火程序退火,获得质地完好的晶体。