[00076459]一种采用原子层沉积制备金属Fe薄膜的方法
技术详细介绍
本发明公开了一种采用原子层沉积制备金属Fe薄膜的方法，目的在于，使制备方法操作简单，原料廉价且安全无毒、无污染、利于量产和与现有IC工艺兼容；方法制备的Fe薄膜具有很好的三维保形性，薄膜厚度在单原子层量级的精确可控，所采用的技术方案为：1)将平面或三维结构的Si基片或Pt/Si基片送入原子层沉积设备的真空反应腔体中备用；2)以二茂铁为铁源，以氧气作为氧源，在惰性气体氛围中，进行原子层沉积循环，直至在Si或Pt/Si基片的表面上均匀沉积均匀保形的Fe3O4薄膜；3)沉积完Fe3O4薄膜后，往真空反应腔体里面充入惰性气体，并让Si基片或Pt/Si基片自然冷却至室温后取出；4)将表面沉积有Fe3O4薄膜的Si基片或Pt/Si基片放入管式炉中，并在还原性气氛下进行退火处理，即得到均匀保形的金属Fe薄膜。
