[00076464]超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统
技术详细介绍
本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统，用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室和相应电路构成，沉积部分由密封室、喷头、加热台、电动传动组件、温控仪、真空压力表和鼓泡池组成。其中储液罐、雾化室、喷头、密封室都采用了独特的设计。该发明具有成本低，运行稳定，成膜质量好等优点，可应用于氧化物和硫化物半导体薄膜的科学研究和工业生产。
本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统，用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室和相应电路构成，沉积部分由密封室、喷头、加热台、电动传动组件、温控仪、真空压力表和鼓泡池组成。其中储液罐、雾化室、喷头、密封室都采用了独特的设计。该发明具有成本低，运行稳定，成膜质量好等优点，可应用于氧化物和硫化物半导体薄膜的科学研究和工业生产。
