[00076466]一种在Cu薄膜体系中生成Cu三角晶体的方法
技术详细介绍
本发明公开了一种在Cu薄膜体系中生成Cu三角晶体的方法，首先在具有<111>晶向的基底上沉积Cu薄膜；随后在Cu薄膜上沉积一层还原性较强的其他材料的薄膜，用以防止Cu薄膜在高温下被氧化；然后采用热处理设备在惰性气体氛围内对样品进行退火，退火温度大于500℃，保温一定时间后，随炉冷却，得到Cu三角晶体。所得到的Cu三角晶体表面，成正等边三角形。
本发明公开了一种在Cu薄膜体系中生成Cu三角晶体的方法，首先在具有<111>晶向的基底上沉积Cu薄膜；随后在Cu薄膜上沉积一层还原性较强的其他材料的薄膜，用以防止Cu薄膜在高温下被氧化；然后采用热处理设备在惰性气体氛围内对样品进行退火，退火温度大于500℃，保温一定时间后，随炉冷却，得到Cu三角晶体。所得到的Cu三角晶体表面，成正等边三角形。
