交易价格: 面议
所属行业: 化工生产
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510043957.9
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 西安交通大学
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所在地: 陕西西安市
本发明公开了一种控制金属纳米Cu/Ru多层膜相结构的方法,该方法是在磁控溅射镀膜过程中,采用慢速率沉积工艺,通过控制铜层和钌层的单层厚度,并通过溅射过程转速、偏压参数的调整,使多层膜的相结构随着铜层和钌层厚度的变化逐渐从fcc/hcp向fcc/fcc过渡,最终演变为hcp/hcp。本发明制备的薄膜结构致密,界面层明晰,可以很容易通过控制不同层薄膜厚度来控制各层成分和界面结构,从而为制备力学性能可控的单相纳米晶材料提供可能。同时,该方法操作简单,成本较低,易于在工业上实现和推广。
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