[00076610]铝纳米线阵列制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种铝纳米线阵列制备方法，制备方法包括以下步骤：(1)、制作铝薄膜；(2)、采用蚀刻技术在制备好的铝薄膜上制作出阵列结构，蚀刻时，对所述的生产单元的迁移桥和连接部的材料进行保留，对迁移桥和连接部的上下两个区域的材料进行蚀刻，仅留存Si基板；(3)、在经过蚀刻制作结构后的铝薄膜表面沉积一层SiO2作为保护膜(4)、最后利用聚焦离子束蚀刻技术在所述的靠近桥的右端处的保护膜上制备出排出孔，形成实验试样；(5)、实验试样制备完成后对其进行通电和加热；(6)、随通电时间增大铝原子被析出，铝纳米线开始生长。本发明的制备方法解决了原有微纳米线制备方法的不足，具有耗时短，成本低，生产效率高，可工业化应用。
