本发明公开了一种掺杂钨酸铅晶体的制备方法,包括如下步骤:(1)将纯度为99.99%的PbO、WO3和掺杂剂固态粉末在150℃-200℃干燥,然后,PbO和WO3按照化学计量比称量,掺杂剂的摩尔浓度为0.01%-0.1%,称量好的固体粉末在10KPa-50KPa压力下压制成致密块状固体,在750℃-1000℃氧化气氛中烧结,在密闭的充入氧气的铂金坩埚中1130℃-1200℃恒温半小时使之完全熔化;(2)将熔化后的原料引入到置有籽晶的生长坩埚内,形成致密多晶锭料,并把该生长坩埚置于温梯法晶体生长炉内接种、生长,得到成品;其中坩埚在生长炉内的引下速率为1.0mm/h。它不仅适用于掺杂易挥发的掺杂剂,同时也同样适用于掺杂没有挥发性的掺杂剂。