[00077052]一种基于掺铕氮化铝的光致发光薄膜的制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种基于掺铕氮化铝的光致发光薄膜的制备方法，所述的基于掺铕氮化铝的光致发光薄膜主要是通过射频磁控溅射的方法制备；所述射频磁控溅射的工作气压为0.3Pa～0.5Pa；所述射频磁控溅射的退火温度为25℃～900℃；所述射频磁控溅射的溅射功率为120W～160W；所述的溅射靶材由纯度为99.999％的Al和纯度为99.95％的Eu金属熔合制成；所述的溅射气体为99.999％的高纯度Ar，所述的反应气体为99.999％的高纯度N2；本底真空为3×10‑5Pa，气体分压比为N2:Ar＝1:3；选用2in.×2in.的n型(100)Si作为衬底材料。本发明通过控制制备条件，可以在单一的Eu掺杂的AlN薄膜中同时辐射出红光、绿光和紫光这三色光，进而实现白发发射，使实现彩色发光器件成为可能。
