[00077167]多坩埚温梯法晶体生长系统
技术详细介绍
本发明公开了一种多坩埚温梯法晶体生长系统，包括：晶体炉，坩埚及其升降装置，其中晶体炉包括炉体、发热体和炉膛；炉体从外到内依次包括外壳、保温棉层、保温砖层和耐火层，耐火层高度为炉膛总高度的2/3-5/6；发热体位于炉膛1/4-1/2高度处，炉膛为长方体，可以同时容纳多坩埚晶体生长。本发明能保证掺杂浓度，并且能够均匀掺杂，可广泛应用于晶体生长领域。
本发明公开了一种多坩埚温梯法晶体生长系统，包括：晶体炉，坩埚及其升降装置，其中晶体炉包括炉体、发热体和炉膛；炉体从外到内依次包括外壳、保温棉层、保温砖层和耐火层，耐火层高度为炉膛总高度的2/3-5/6；发热体位于炉膛1/4-1/2高度处，炉膛为长方体，可以同时容纳多坩埚晶体生长。本发明能保证掺杂浓度，并且能够均匀掺杂，可广泛应用于晶体生长领域。
