[00077193]晶体生长原料处理方法
技术详细介绍
本发明公开了一种晶体生长原料的处理方法，特点是将原料按照比例称量，充分混合，加压5～20KPa成需要的形状，在800～1100℃温度下烧结；将烧结后的原料在有保护气的氛围下的化料坩埚中化料，然后在密闭环境中将熔化后的原料转入生长坩埚。本方法由于整个原料处理过程在密闭环境中进行，适宜于有挥发性原料的预处理，特别适用于有毒气体挥发的原料处理。
本发明公开了一种晶体生长原料的处理方法，特点是将原料按照比例称量，充分混合，加压5～20KPa成需要的形状，在800～1100℃温度下烧结；将烧结后的原料在有保护气的氛围下的化料坩埚中化料，然后在密闭环境中将熔化后的原料转入生长坩埚。本方法由于整个原料处理过程在密闭环境中进行，适宜于有挥发性原料的预处理，特别适用于有毒气体挥发的原料处理。
